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EMH1405
IDP=34A (PW ≤ 10 μ s)
10
1m
10
ms
3 DC 10
0m
era
n(
Ta
=2
C)
Ta=25 ° C
Single pulse
(1200mm 2 × 0.8mm)
0.01
μ s
0 μ
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
VDS=15V
ID=8.5A
1 2 3
4
5
VGS -- Qg
6 7 8 9
10 11 12 13 14 15
7
5
3
2
7
5
7
5 Operation in this area
2
0.1
7
5
3
0.01
ASO
10 ID=8.5A                                                          s
2 op s
1.0 tio
2 When mounted on ceramic substrate
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
3 is limited by RDS(on). 5 °
10
s
2 3
5
2.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT15395
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15510
When mounted on ceramic substrate
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
(1200mm 2 × 0.8mm)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15511
No. A1667-4/7
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